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觸摸臺燈電路板電路中MOSFET常見的擊穿特征
添加時間:2019-06-03

觸摸臺燈電路板電路中有推動燈串的電流放大電路,這其中起放大作用的元器件,很多都是使用MOSFET,因其有電流放大倍數較大、功率高、穩定性強等特點。觸摸電路板的LED輸出與 MOSFET的響應速度也有一定關系,響應速度快,燈光在轉換時平順,無停頓。觸摸板上面的這個MOSFET有時也會燒壞掉,就是我們常說的擊穿,擊穿有以下幾種特征:

1)穿通擊穿的擊穿點軟,擊穿過程中,電流有逐步增大的特征,這是因為耗盡層擴展較寬,產生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發生DIBL效應,使源襯底結正偏出現電流逐步增大的特征。

2)穿通擊穿的軟擊穿點發生在源漏的耗盡層相接時,此時源端的載流子注入到耗盡層中,被耗盡層中的電場加速達到漏端,因此,穿通擊穿的電流也有急劇增大點,這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同,這時的電流相當于源襯底PN結正向導通時的電流,而雪崩擊穿時的電流主要為PN結反向擊穿時的雪崩電流,如不作限流,雪崩擊穿的電流要大。

3)穿通擊穿一般不會出現破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強沒有達到雪崩擊穿的場強,不會產生大量電子空穴對。

4)穿通擊穿一般發生在溝道體內,溝道表面不容易發生穿通,這主要是由于溝道注入使表面濃度比濃度大造成,所以,對NMOS管一般都有防穿通注入。

5)一般的,鳥嘴邊緣的濃度比溝道中間濃度大,所以穿通擊穿一般發生在溝道中間。

6)多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的,隨著柵長度增加,擊穿增大。而對雪崩擊穿,嚴格來說也有影響,但是沒有那么顯著。

   在觸摸LED燈線路板電路中應用MOSFET時,各項參數一定要測量確認,例如電壓、電流等極限值,防止過高而引起擊穿。

觸摸臺燈電路板電路中MOSFET常見的擊穿特征(圖1)

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